近年，拓撲絕緣體成為了物理學領域最為熱門的話題之一，這些拓撲絕緣體材料可同時作為絕緣體和導體，因其內部結構阻止了電流通過，而其邊緣以及表面卻能保證電流運動。 而最為重要的可能是拓撲絕緣體的表面可保證旋轉極化電子運動，另外也防止了能量消耗時出現的電子分散情況。 因這些種特性，未來拓撲絕緣體材料在晶體管、存儲設備以及磁性傳感器等能耗效率高的產品領域均有很大的應用前景。 在《自然納米科技》雜志上，來自加州大學洛杉磯分校（UCLA）的工程及應用科學院和澳洲昆士蘭大學的材料研究所的研究員發表論文，展示了碲化鉍拓撲絕緣子的表面傳導渠道，說明了這些絕緣體的表面可以根據費密能級的位置來調節表面態的傳導性能。 USLA工程及應用科學院的教授Kang L. Wang說道：“我們的發現為新一代低功耗的納米電子和自旋電子器件的研發創造了更大的空間。” 碲化鉍以其熱電性能而出名，并因其獨特的表面狀態被推斷為三位拓撲絕緣體。最近針對碲化鉍散裝材料開展的一些實驗也說明了其表面態具有二位傳導渠道。但是 這種能帶隙小的半導體的熱激發性以及純度不夠等原因造成的重要體散射也使得調整表面導電功能成為一項很大的挑戰。 而拓撲絕緣納米技術的發展在這方面做出了補充。這些納米材料絕大程度的夯實了表面條件，使得靠外力完全能控制表面狀態。 Wang和他的團隊使用碲化鉍納米材料作為場效應晶體結構的傳導渠道。這依賴于外部電場來控制費密能級，從而調控渠道的傳導狀態，最高傳導率可達到51%。研究員們首次做到了展示調節拓撲絕緣體表面的可能性。